IPSA70R1K4P7S دیتاشیت

IPSA70R1K4P7S

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPSA70R1K4P7S
حجم فایل 78.851 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت IPSA70R1K4P7S-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPSA70R1K4P7S
  • Power Dissipation (Pd): 22.7W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 700V
  • Continuous Drain Current (Id): 4A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@40uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.4Ω@10V,700mA
  • Package: TO-251
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه